图书介绍
集成电路设计 第2版2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载
- 王志功，陈莹梅编著（东南大学信息科学与工程学院，东南大学射光所） 著
- 出版社： 北京：电子工业出版社
- ISBN：9787121088056
- 出版时间：2009
- 标注页数：292页
- 文件大小：43MB
- 文件页数：307页
- 主题词：集成电路－电路设计－高等学校－教材
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图书目录
第1章 集成电路设计概述1
1.1 集成电路的发展1
1.2 集成电路设计流程及设计环境4
1.3 集成电路制造途径5
1.4 集成电路设计的知识范围6
思考题8
第2章 集成电路材料、结构与理论9
2.1 集成电路材料9
2.1.1 硅10
2.1.2 砷化镓10
2.1.3 磷化铟11
2.1.4 绝缘材料11
2.1.5 金属材料12
2.1.6 多晶硅13
2.1.7 材料系统14
2.2 半导体基础知识15
2.2.1 半导体的晶体结构15
2.2.2 本征半导体与杂质半导体15
2.3 PN结与结型二极管16
2.3.1 PN结的扩散与漂移16
2.3.2 PN结型二极管17
2.3.3 肖特基结二极管18
2.3.4 欧姆型接触18
2.4 双极型晶体管18
2.4.1 双极型晶体管的基本结构18
2.4.2 双极型晶体管的工作原理19
2.5 MOS晶体管20
2.5.1 MOS晶体管的基本结构20
2.5.2 MOS晶体管的工作原理21
2.5.3 MOS晶体管的伏安特性21
思考题25
本章参考文献25
第3章 集成电路基本工艺27
3.1 外延生长27
3.2 掩模版的制造28
3.3 光刻原理与流程31
3.3.1 光刻步骤31
3.3.2 曝光方式32
3.4 氧化34
3.5 淀积与刻蚀34
3.6 掺杂原理与工艺35
思考题37
本章参考文献37
第4章 集成电路器件工艺39
4.1 双极型集成电路的基本制造工艺40
4.1.1 双极型硅工艺40
4.1.2 HBT工艺41
4.2 MESFET和HEMT工艺43
4.2.1 MESFET工艺43
4.2.2 HEMT工艺44
4.3 MOS和相关的VLSI工艺46
4.3.1 PMOS工艺47
4.3.2 NMOS工艺48
4.3.3 CMOS工艺51
4.4 BiCMOS工艺54
思考题57
本章参考文献57
第5章 MOS场效应管的特性58
5.1 MOS场效应管58
5.1.1 MOS管伏安特性的推导58
5.1.2 MOS电容的组成59
5.1.3 MOS电容的计算61
5.2 MOS FET的阈值电压VT62
5.3 体效应65
5.4 MOSFET的温度特性65
5.5 MOSFET的噪声66
5.6 MOSFET尺寸按比例缩小66
5.7 MOS器件的二阶效应69
5.7.1 L和W的变化69
5.7.2 迁移率的退化71
5.7.3 沟道长度的调制72
5.7.4 短沟道效应引起的阈值电压的变化73
5.7.5 狭沟道效应引起的阈值电压的变化73
思考题74
本章参考文献74
第6章 集成电路器件及SPICE模型75
6.1 无源器件结构及模型75
6.1.1 互连线75
6.1.2 电阻76
6.1.3 电容78
6.1.4 电感80
6.1.5 分布参数元件81
6.2 二极管电流方程及SPICE模型85
6.2.1 二极管的电路模型85
6.2.2 二极管的噪声模型86
6.3 双极型晶体管电流方程及SPICE模型87
6.3.1 双极型晶体管的EM模型87
6.3.2 双极型晶体管的GP模型89
6.4 结型场效应JFET（NJF/PJF）模型90
6.5 MESFET（NMF/PMF）模型（SPICE3.x）90
6.6 MOS管电流方程及SPICE模型91
思考题94
本章参考文献94
第7章 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法96
7.1 采用SPICE的电路设计流程96
7.2 电路元件的SPICE输入语句格式97
7.3 电路特性分析语句103
7.4 电路特性控制语句105
7.5 缓冲驱动器设计实例107
7.6 跨导放大器设计实例111
思考题124
本章参考文献125
第8章 集成电路版图设计与工具126
8.1 工艺流程的定义126
8.2 版图几何设计规则127
8.3 图元131
8.3.1 MOS晶体管131
8.3.2 集成电阻133
8.3.3 集成电容134
8.3.4 寄生二极管与三极管136
8.4 版图设计准则138
8.4.1 匹配设计138
8.4.2 抗干扰设计143
8.4.3 寄生优化设计144
8.4.4 可靠性设计145
8.5 电学设计规则与布线147
8.6 基于Cadence平台的全定制IC设计149
8.6.1 版图设计的环境149
8.6.2 原理图编辑与仿真150
8.6.3 版图编辑与验证154
8.6.4 CMOS差动放大器版图设计实例156
8.7 芯片的版图布局158
8.8 版图设计的注意事项160
思考题161
本章参考文献161
第9章 模拟集成电路基本单元162
9.1 电流源电路162
9.1.1 双极型镜像电流源162
9.1.2 MOS电流镜164
9.2 基准电压源设计166
9.2.1 双极型三管能隙基准源166
9.2.2 MOS基准电压源167
9.3 单端反相放大器168
9.3.1 基本放大电路168
9.3.2 改进的CMOS推挽放大器172
9.4 差分放大器173
9.4.1 BJT差分放大器173
9.4.2 MOS差分放大器174
9.4.3 CMOS差分放大器设计实例175
9.5 运算放大器178
9.5.1 性能参数178
9.5.2 套筒式共源共栅运放180
9.5.3 折叠式共源共栅运放181
9.5.4 两级运放184
9.5.5 CMOS运算放大器设计实例185
9.6 振荡器195
9.6.1 环形振荡器195
9.6.2 LC振荡器199
思考题201
本章参考文献202
第10章 数字集成电路基本单元与版图203
10.1 TTL基本电路203
10.1.1 TTL反相器203
10.1.2 TTL与非门204
10.1.3 TTL或非门205
10.2 CMOS基本门电路及版图实现206
10.2.1 CMOS反相器206
10.2.2 CMOS与非门和或非门214
10.2.3 CMOS传输门和开关逻辑216
10.2.4 三态门219
10.2.5 驱动电路219
10.3 数字电路标准单元库设计220
10.3.1 基本原理220
10.3.2 库单元设计221
10.4 焊盘输入／输出单元222
10.4.1 输入单元223
10.4.2 输出单元224
10.4.3 输入／输出双向三态单元（I/O PAD）230
10.5 了解CMOS存储器231
10.5.1 动态随机存储器（DRAM）233
10.5.2 静态随机存储器（SRAM）239
10.5.3 闪存241
思考题243
本章参考文献243
第11章 集成电路数字系统设计基础244
11.1 数字系统硬件描述语言244
11.1.1 基于HDL语言的设计流程244
11.1.2 Verilog HDL语言介绍246
11.1.3 硬件描述语言VHDL255
11.2 数字系统逻辑综合与物理实现261
11.2.1 逻辑综合的流程263
11.2.2 Verilog HDL与逻辑综合267
11.2.3 自动布局布线269
11.3 数字系统的FPGA/CPLD硬件验证273
11.3.1 PLD概述274
11.3.2 现场可编程门阵列（FPGA）274
11.3.3 基于FPGA的数字系统硬件验证277
思考题278
本章参考文献279
第12章 集成电路的测试和封装280
12.1 集成电路在芯片测试技术280
12.2 集成电路封装形式与工艺流程282
12.3 芯片键合284
12.4 高速芯片封装286
12.5 混合集成与微组装技术287
12.6 数字集成电路测试方法287
12.6.1 可测试性的重要性287
12.6.2 测试基础288
12.6.3 可测试性设计289
思考题291
本章参考文献291