图书介绍

近代半导体材料的表面科学基础2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

近代半导体材料的表面科学基础
  • 许振嘉编著 著
  • 出版社： 北京：北京大学出版社
  • ISBN：7301055145
  • 出版时间：2002
  • 标注页数：770页
  • 文件大小：41MB
  • 文件页数：787页
  • 主题词：

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图书目录

绪论1

上篇 基础3

第一章 二维结晶学3

引言3

1.1 二维晶体的周期性与对称性3

1.2 命名法11

参考文献14

引言15

第二章 表面形态与原子排列15

2.1 表面能16

2.2 表面热力学函数19

2.3 平衡表面形态22

2.4 悬键25

2.5 表面能的估算29

2.6 表面缺陷30

2.7 邻位面与台阶33

2.8 台阶蜿蜒与TSK模型37

2.9 理想表面原子排列45

参考文献51

一般参考书目51

第三章 表面吸附57

引言57

3.1 物理吸附58

3.2 化学吸附61

3.3 Lennard-Jones模型65

3.4 吸附物诱导的功函数变化68

3.5 气-固表面吸附的力能学71

3.6 气-固表面吸附动力学75

3.7 吸附等温线80

一般参考书目83

参考文献84

第四章 表面电子性质86

引言86

4.1 经典线性链模型88

4.2 近自由电子模型90

4.3 紧束缚近似96

4.4 表面势100

4.5 定域态密度104

4.6 表面能带107

4.7 光电子能谱112

一般参考书目122

参考文献123

第五章 表面振动与散射126

引言126

5.1 Rayleigh表面波127

5.2 晶格的表面振动模130

5.3 离子束弹性散射132

5.4 低能电子速的非弹性散射137

5.5 低能电子速的弹性散射142

5.6 表面光束散射147

一般参考书目151

参考文献152

下篇 专题157

第六章 清洁半导体表面157

引言157

6.1 Si(100)面158

6.2 Si(111)面166

6.3 GaAs(110)面182

6.4 GaAs(100)面193

6.5 GaAs(111)面199

6.6 高指数晶面203

一般参考书目207

参考文献207

第七章 吸附半导体表面218

引言218

7.1 (氧，H2O)-硅219

7.2 氧-GaAs230

7.3 氢吸附235

7.4 Ⅲ族元素吸附242

7.5 贵金属吸附247

7.6 碱金属吸附254

7.7 表面钝化和催化258

一般参考书目265

参考文献265

第八章 半导体薄膜学281

引言281

8.1 特征282

8.2 体内扩散284

8.3 晶粒间界扩散291

8.4 表面扩散295

8.5 反应302

8.6 薄膜生长的经典理论307

8.7 薄膜生长动力学311

8.8 固相外延325

8.9 同质与异质外延339

一般参考书目353

参考文献354

第九章 几种半导体薄膜的生长364

引言364

9.1 Si/Si(001)364

9.2 GaAs/GaAs(001)373

9.3 GaAs/Si383

9.4 GexSil-x/Si400

参考文献414

第十章 金属-半导体界面423

引言423

10.1 表面空间电荷区426

10.2 金属-半导体接触势垒431

10.3 金属-半导体接触的电流机制445

10.4 金属诱生能隙态453

10.5 金属-半导体界面缺陷461

10.6 金属-半导体界面原子结构471

10.7 金属-半导体界面的微观结构477

一般参考书目480

参考文献481

第十一章 过渡金属硅化物488

引言488

11.1 背景489

11.2 制备504

11.3 杂质问题507

11.4 反应动力学与相序511

11.5 体过渡金属硅化物513

11.6 过渡金属-硅界面电子结构533

11.7 过渡金属-硅界面的形成541

11.8 硅化物外延生长555

一般参考书目563

参考文献564

第十二章 铂、钴、钛硅化物575

引言575

12.1 Pt/Si界面电子结构576

12.2 Pt/Si界面的形成与反应582

12.3 Pt/Si-Si界面591

12.4 CoSi2597

12.5 TiSi2605

12.6 金属硅化物的性质611

一般参考书目627

参考文献627

第十三章 稀土金属硅化物634

引言634

13.1 制备635

13.2 晶体结构642

13.3 基础性质644

13.4 相图645

13.5 电学性质646

13.6 Schottky势垒652

13.7 光学性质655

13.8 外延生长657

13.9 界面反应演化661

13.10 RE-Si界面的电子性质673

13.11 界面反应与生长机制684

一般参考书目689

参考文献689

14.1 一般讨论696

第十四章 金属-化合物半导体接触696

引言696

14.2 重掺技术708

14.3 N-GaAs710

14.4 P-GaAs722

14.5 N-和P-InP724

14.6 P-InAs·P-GaSb725

14.7 AlGaAs726

14.8 InGaAs726

14.9 InGaAsP728

14.10 能带工程729

14.11 Si/Co/GaAs739

14.12 TiN/N-GaAs743

14.13 宽禁带半导体的金属接触745

14.14 工艺与可靠性748

一般参考书目749

参考文献750

本书参考书目759

部分缩写名词765

部分符号表769

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