图书介绍
译文专辑 集成电路工艺技术2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载
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- 出版社： 上海市仪表电讯工业局科技情报研究所
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- 出版时间：未知
- 标注页数：124页
- 文件大小：9MB
- 文件页数：125页
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图书目录
一、序言1
二、实验程序1
用高压蒸气氧化抑制硅中氧化感应堆垛层错的形成1
三、实验结果与讨论2
用1.1.1.三氧乙烷作为改进硅热氧化技术的最佳添加剂6
摘要6
化学分析6
C33被选为最佳添加剂8
实验步骤8
结果和讨论9
结论14
参考文献14
参考文献16
四、结论16
氮气热处理对硅片表面的影响17
摘要17
1．引言2．实验过程17
3．结果和讨论18
4．结论22
磁硅玻璃低压化学气相生长装置23
PSG膜生长技术24
过程自动化系统26
参考文献27
参考文献27
结束语27
外延技术与大规模集成电路技术28
外延与化学气相生长用装置28
CVD技术与大规模集成电路技术29
CVD装置的动向30
外延生长装置的动向30
今后展望35
结论36
参考文献36
参考文献36
从钝化技术看提高LSI可性靠的半导体工艺技术37
摘要37
重提表面保护问题37
第一钝化层37
第二钝化层38
MOS栅氧化膜关键在于清洁度41
微细化的发展容易引起电极迁移42
不用A1的多层电极结构42
A1布线技术的改进43
晶格缺陷对器件可靠性也有影响44
半导体制造基础关系着可靠性提高47
参考文献48
摘要52
实验步骤52
大剂量离子注入时产生的表面沾污研究52
结果和讨论53
化学干腐蚀技术57
腐蚀装置的构造和实验手段57
腐蚀特性58
腐蚀终点检测61
在Si3N4膜淀积技术上的应用61
在表面处理上的应用63
参考文献64
结论64
参考文献64
结束语64
园筒型等离子腐蚀装置65
平扳型等离子腐蚀装置65
等离子腐蚀硅与介质薄膜65
平板型等离子腐蚀速率66
腐蚀速比68
光刻胶性能70
参考文献71
结论71
等离子腐蚀铝—干湿比较72
实验结果73
SiO2薄膜上光刻胶粘附失效问题76
腐蚀剂钻烛76
钻蚀机理77
整块面积的浮胶79
边缘脱胶80
远紫外曝光技术及其在器件上的应用81
远紫外曝光技术的动向81
远紫外用抗蚀剂82
光学系统84
参考文献87
用MoSi2作栅材料的新型MOS工艺88
一、序言88
二、MoSi2薄膜的特性88
三、电气性能91
四、LSI方面的应用92
结束语93
参考文献93
用于双极型器件的一种新的多晶硅工艺-PSA技术94
摘要94
1．引言2．一种新的多晶硅工艺94
3．PSA法应用例96
4．讨论97
参考文献98
实验99
序言99
塑料封装集成电路金属化的腐蚀试验99
摘要99
结果和讨论100
评价（100）硅的缺陷腐蚀方法104
摘要104
实验104
结论109
参考文献109
结论109
参考文献109
二、定义110
四、吸盘形状110
三、沾污问题110
摘要110
硅片平整度的测量原理及有关设备比较110
一、引言110
五、抽真空方法111
装置112
七、不同系统所得结果比较113
结论115
参考文献115
测量系统116
掩模和硅片的外观检查116
掩模套准系统117
缺陷检测117
其他技术118
掩模线宽测量120
摘要120
NBS标准121
使用标准的结果123