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上卷1

第1章 磁性纳米多层膜巨磁电阻效应及其器件1

1.1 背景简介1

1.2 巨磁电阻效应的发现、理论及其应用3

1.2.1 巨磁电阻效应的发现和典型实验结果3

1.2.2 巨磁电阻效应的理论模型10

1.2.3 巨磁电阻效应的应用12

1.3 巨磁电阻的影响13

1.3.1 隧穿磁电阻14

1.3.2 庞磁电阻15

1.3.3 铁磁半导体中的磁电阻15

1.3.4 纳米线以及有机体系中的磁电阻18

1.3.5 非磁体系中的磁电阻效应19

1.4 结论与展望20

参考文献21

第2章 磁性颗粒膜中的巨磁电阻效应29

2.1 磁性颗粒膜中的超顺磁性29

2.1.1 铁磁性颗粒的磁性29

2.1.2 铁磁性颗粒集合体的超顺磁性33

2.2 金属／金属型磁性颗粒膜的巨磁电阻效应35

2.2.1 理论解释36

2.2.2 金属／金属型颗粒膜GMR效应的影响因素40

2.3 金属／绝缘体型磁性颗粒膜的巨磁电阻效应44

2.4 磁性纳米粒子组装颗粒膜的巨磁电阻效应50

2.5 结束语59

参考文献60

第3章 磁性隧道结及隧穿磁电阻相关效应65

3.1 引言：磁性隧道结及其发展历程65

3.2 基于不同势垒材料的单势垒磁性隧道结69

3.2.1 基于非晶Al-O势垒的磁性隧道结69

3.2.2 基于单晶γ-Al2O3势垒的磁性隧道结75

3.2.3 基于非晶Ti-O势垒的磁性隧道结76

3.2.4 基于单晶MgO（001）势垒的磁性隧道结77

3.2.5 基于尖晶石MgAl2O4（001）等新型势垒的磁性隧道结82

3.2.6 基于有机材料势垒的磁性隧道结85

3.2.7 基于半导体材料势垒的磁性隧道结90

3.2.8 基于其他势垒的磁性隧道结92

3.3 磁性隧道结中常用电极材料92

3.3.1 基于单质铁磁金属材料的磁性隧道结93

3.3.2 基于高自旋极化率铁磁金属合金材料的磁性隧道结93

3.3.3 具有高自旋极化率的半金属电极材料94

3.3.4 基于垂直磁各向异性磁电极材料的磁性隧道结97

3.3.5 基于稀磁半导体电极材料的磁性隧道结99

3.3.6 基于插层和复合电极材料的磁性隧道结104

3.4 双势垒磁性隧道结109

3.4.1 基于非晶Al-O双势垒的磁性隧道结110

3.4.2 基于单晶MgO（001）双势垒的磁性隧道结111

3.5 磁性隧道结中的物理效应115

3.5.1 自旋转移力矩效应115

3.5.2 库仑阻塞磁电阻效应118

3.5.3 磁电阻振荡效应121

3.5.4 双势垒磁性隧道结中的量子阱共振隧穿效应122

3.5.5 磁性隧道结中的电场效应124

3.5.6 磁性隧道结中的热自旋效应124

3.6 磁性隧道结在器件中的应用127

3.6.1 硬盘驱动器磁读头128

3.6.2 磁性传感器128

3.6.3 磁性随机存取存储器129

3.6.4 自旋纳米振荡器129

3.6.5 自旋逻辑器件130

3.6.6 自旋晶体管、自旋场效应晶体管130

3.6.7 自旋发光二极管130

3.7 研究展望136

参考文献138

附录 磁性隧道结的发展历史及其有代表性的优化结构152

第4章 铁磁体／反铁磁体多层结构中交换偏置的最新进展161

4.1 引言161

4.2 反铁磁层对磁交换偏置效应的影响163

4.3 铁磁体／非磁体／反铁磁体三层膜体系中的层间交换偏置耦合165

4.4 铁磁体／反铁磁体／铁磁体三层膜体系中的层间交换偏置耦合167

4.5 通过磁-电效应实现交换偏置的电场控制168

4.6 结语169

参考文献170

第5章 磁性超薄膜中厚度诱导的自旋重取向相变177

5.1 唯象性描述178

5.1.1 零磁场下的自旋重取向相变178

5.1.2 外加磁场下的自旋重取向相变180

5.2 利用磁化曲线研究自旋重取向相变182

5.3 利用微观成像技术研究自旋重取向相变186

5.4 利用磁化率研究自旋重取向相变190

5.4.1 厚度诱导自旋重取向相变中磁化率的理论模型191

5.4.2 自旋重取向相变的磁化率实验研究及与理论的比较193

5.5 总结196

参考文献198

第6章 钙钛矿结构锰氧化物中的庞磁电阻效应及其应用203

6.1 钙钛矿结构锰氧化物的CMR效应203

6.2 CMR锰氧化物的制备205

6.2.1 多晶陶瓷205

6.2.2 单晶206

6.2.3 薄膜207

6.2.4 纳米颗粒、线208

6.3 CMR锰氧化物的物理性质210

6.3.1 晶体结构210

6.3.2 电子结构213

6.3.3 磁结构217

6.3.4 CMR锰氧化物的磁输运行为219

6.3.5 各种掺杂效应和相图222

6.3.6 电荷有序和轨道有序231

6.3.7 相分离236

6.3.8 CMR效应的理论研究242

6.4 CMR锰氧化物薄膜器件和应用246

6.4.1 锰基异质结及其应用247

6.4.2 CMR锰氧化物隧道结及其应用252

6.4.3 CMR锰氧化物铁电场效应晶体管及其应用254

6.5 小结256

参考文献257

第7章 自旋转移力矩效应271

7.1 引言271

7.2 自旋转移力矩的基本原理273

7.2.1 自旋电流、自旋力矩以及它们之间的联系273

7.2.2 自由电子在非磁性金属和铁磁金属界面处的散射274

7.2.3 自旋转移力矩在磁异质结中的特性277

7.3 自旋转移力矩驱动的多层膜磁化动力学284

7.3.1 LLG方程与自旋转移力矩284

7.3.2 磁化动力学：宏观磁矩模型286

7.3.3 磁化动力学：微磁学模型简介289

7.4 磁性单层膜和双层膜结构中的自旋转移291

7.4.1 不均匀铁磁金属单层膜中的自旋转移291

7.4.2 顺磁金属／铁磁金属双层膜中的自旋转移296

7.5 对自旋转移力矩的其他研究方向的展望299

7.5.1 基于铁磁绝缘体的自旋转移299

7.5.2 热驱动自旋转移力矩300

7.5.3 自旋转移力矩的逆效应300

7.5.4 其他磁性材料中的自旋转移效应301

参考文献303

第8章 自旋转移力矩效应和微磁学模拟技术313

8.1 微磁学基础理论313

8.1.1 布朗（Brown）稳态方程313

8.1.2 磁动力学方程315

8.1.3 数值模拟方法318

8.1.4 微磁学计算中的单位约化323

8.2 微磁学新进展324

8.2.1 自旋转移力矩效应324

8.2.2 Rashba效应329

8.2.3 Landau-Lifshitz-Bloch方程330

8.2.4 自洽Bloch方程332

8.2.5 原子尺度的微磁学模型333

8.3 STT驱动的磁化翻转及微磁学模拟334

8.3.1 STT效应的研究进展334

8.3.2 STT驱动的磁化翻转微磁学模拟335

8.4 STT驱动的磁涡旋极性翻转338

8.5 STT驱动的自旋波激发342

8.5.1 STT驱动的磁振荡342

8.5.2 面内-垂直双自旋极化结构343

8.6 原子尺度的微磁学模拟345

8.6.1 稀土-过渡金属合金材料345

8.6.2 三温度模型346

8.6.3 稀土-过渡金属薄膜材料的微磁学模型及激光退磁过程347

8.7 结束语348

参考文献349

第9章 铁磁共振和自旋波的电检测技术及其在自旋电子学方面的新应用359

9.1 电检测铁磁共振技术的物理原理362

9.2 电检测铁磁共振信号的定量分析方法364

9.2.1 磁化强度的进动364

9.2.2 广义欧姆定律366

9.2.3 自旋整流效应的定量分析和角对称性368

9.3 铁磁共振和自旋波电检测技术的应用371

9.3.1 GaMnAs薄膜中的自旋激发371

9.3.2 相分辨铁磁共振谱372

9.3.3 自旋波共振的电检测374

9.3.4 非线性铁磁共振和自旋波375

9.3.5 异质结自旋器件中自旋泵浦效应和自旋整流效应的区分378

9.3.6 微波磁场矢量探测器380

9.3.7 微波相位成像381

9.4 结语383

参考文献385

第10章 磁性纳米异质受限结构中的自旋和热电输运量子理论389

10.1 引言389

10.2 单磁性隧道结中自旋相关输运定态理论390

10.2.1 无自旋的转移哈密顿量391

10.2.2 单隧道结系统的哈密顿量392

10.2.3 利用非平衡格林函数计算电流和电导394

10.2.4 电导和隧穿磁电阻效应395

10.2.5 单磁性隧道结中的自旋转移力矩398

10.2.6 电子-电子相互作用对电导的影响399

10.3 双磁性隧道结中自旋相关输运定态理论399

10.3.1 中心区为铁磁膜399

10.3.2 中心区为超导体402

10.3.3 中心区为量子点405

10.3.4 中心区为一臂镶嵌了量子点的Aharonov-Bohm环408

10.3.5 自旋过滤：铁磁体-量子点-半导体双隧道结系统409

10.4 自旋相关的含时输运理论412

10.4.1 多铁磁端口器件：中心区存在随时间变化的栅电压412

10.4.2 单磁性隧道结中含时外场对电流和自旋转移力矩的影响418

10.5 具有自旋轨道耦合的量子环和自旋场效应管中激光激发的自旋动力学420

10.5.1 量子环420

10.5.2 光控自旋场效应管421

10.6 自旋热电输运理论422

10.6.1 热功率、Peltier系数和热导率423

10.6.2 Wiedemann-Franz定律425

10.7 总结425

参考文献427

第11章 各种霍尔效应及其输运性质和应用433

11.1 霍尔效应的研究简史433

11.2 霍尔效应分类介绍434

11.2.1 正常霍尔效应434

11.2.2 反常霍尔效应440

11.2.3 平面霍尔效应446

11.2.4 自旋霍尔效应449

11.2.5 量子霍尔效应461

11.3 本章小结464

参考文献465

第12章 自旋霍尔效应、反常霍尔效应和拓扑绝缘体471

12.1 整数量子霍尔效应471

12.2 量子反常霍尔效应472

12.3 量子自旋霍尔效应475

参考文献479

第13章 介观器件中的自旋轨道耦合和自旋流483

13.1 引言483

13.2 自旋电子器件的理论基础485

13.2.1 含有自旋轨道耦合的实空间哈密顿量485

13.2.2 含有自旋轨道耦合的二次量子化哈密顿量486

13.3 纳米器件中的自旋积累和自旋极化流493

13.3.1 半导体中的自旋极化流493

13.3.2 量子点中的自旋积累496

13.4 介观小环中的持续自旋流502

13.4.1 产生持续自旋流的物理图像502

13.4.2 自旋轨道耦合-正常复合介观小环中的持续自旋流503

13.5 自旋流定义507

13.5.1 线自旋流、角自旋流和连续性方程507

13.5.2 一个例子：一维体系自旋流510

13.6 自旋流产生的电场511

13.7 展望513

参考文献514

第14章 半导体中的自旋轨道耦合及其物理效应519

14.1 引言519

14.2 半导体中的自旋轨道耦合522

14.2.1 有效质量理论522

14.2.2 半导体量子阱中的Rashba自旋劈裂524

14.3 窄禁带半导体量子阱中的本征自旋霍尔效应529

14.3.1 8带模型计算本征自旋霍尔效应530

14.3.2 速度顶角修正——梯图近似534

14.3.3 HgCdTe／CdTe量子阱中量子相变致本征自旋霍尔效应535

14.4 拓扑绝缘体538

14.4.1 拓扑绝缘体中的反常电子轨道540

14.4.2 拓扑绝缘体表面电子引发的可控RKKY相互作用543

14.4.3 拓扑绝缘体量子点545

14.4.4 极化场驱动的拓扑绝缘体量子相变549

14.5 结束语551

参考文献553

第15章 磁性阻挫系统561

15.1 自旋系统中阻挫的引入561

15.2 经典自旋体系中的磁性阻挫562

15.2.1 二维几何阻挫Ising模型562

15.2.2 三维几何阻挫系统与自旋冰564

15.2.3 连续自旋模型与计算模拟566

15.3 量子自旋体系中的磁性阻挫567

15.3.1 一维Heisenberg链与阻挫驱动的量子相变567

15.3.2 二维J1-J2模型与无序诱导的有序567

15.3.3 阻挫自旋系统的低能磁激发568

15.3.4 量子自旋液体与分数激发570

15.4 展望571

参考文献572

索引575

彩图581

下卷581

第16章 热自旋电子学581

16.1 卡诺电子学的发展背景581

16.2 自旋相关热电理论及实验进展583

16.2.1 塞贝克效应及其理论583

16.2.2 双电流模型588

16.2.3 自旋相关热电理论589

16.2.4 自旋相关热电效应实验进展590

16.3 自旋塞贝克效应及其相关效应591

16.3.1 自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应591

16.3.2 自旋塞贝克效应592

16.3.3 自旋能斯特效应593

16.3.4 Pt邻近效应594

16.3.5 自旋霍尔磁电阻596

16.4 磁性隧道结597

16.4.1 磁性隧道结的热电理论计算598

16.4.2 磁性隧道结的热电实验进展598

16.5 热诱导的自旋转移力矩600

16.6 结束语601

参考文献601

第17章 Ⅲ-Ⅴ族磁性半导体（Ga,Mn）As605

17.1 p-d交换作用Zener模型606

17.2 高居里温度（Ga,Mn）As的制备607

17.2.1 重Mn掺杂607

17.2.2 自上而下微纳加工（Ga,Mn）As纳米条612

17.2.3 自下而上自组织生长（Ga,Mn）As纳米线618

17.2.4 磁邻近效应621

17.3 （Ga,Mn）As的自旋超快动力学624

17.3.1 电子自旋超快激发与弛豫动力学过程及其相关物理机制624

17.3.2 光控磁化翻转及其动力学过程研究627

17.3.3 全光相干自旋波激发与动力学过程研究628

17.4 （Ga,Mn）As的费米能级问题631

17.4.1 价带模型631

17.4.2 杂质带模型633

17.5 基于（Ga,Mn）As的器件物理效应634

17.5.1 电场调控磁化矢量的转动634

17.5.2 电场调控居里温度637

17.5.3 铁磁金属／（Ga,Mn）As复合隧道结638

17.6 展望640

参考文献642

第18章 氧化物稀磁半导体649

18.1 研究背景649

18.1.1 引言649

18.1.2 稀磁半导体的发展历程649

18.2 氧化物稀磁半导体薄膜的制备651

18.2.1 制备方法651

18.2.2 制备条件652

18.3 氧化物稀磁半导体的结构及表征656

18.3.1 氧化物半导体的晶体结构与特性656

18.3.2 氧化物稀磁半导体结构表征657

18.4 氧化物稀磁半导体的磁性664

18.4.1 3d过渡金属掺杂氧化物稀磁半导体664

18.4.2 共掺杂氧化物稀磁半导体666

18.4.3 非磁性元素掺杂和不掺杂的氧化物稀磁半导体668

18.5 氧化物稀磁半导体的输运性质669

18.5.1 载流子浓度与铁磁性的关系669

18.5.2 反常霍尔效应672

18.6 氧化物稀磁半导体的理论计算673

18.6.1 第一性原理计算方法673

18.6.2 磁交换能的计算674

18.6.3 电子结构分析676

18.6.4 Tc的计算678

18.7 氧化物稀磁半导体的磁性产生模型680

18.7.1 载流子诱导铁磁性理论680

18.7.2 束缚磁极子理论682

18.7.3 电荷转移的铁磁性理论684

18.8 氧化物稀磁半导体及其异质结中的磁电阻效应686

18.8.1 氧化物稀磁半导体的磁电阻效应686

18.8.2 氧化物稀磁半导体基的磁性隧道结688

18.9 总结与展望690

参考文献691

第19章 有机半导体异质结构及其磁电阻效应701

19.1 垂直结构有机自旋阀器件的制备701

19.2 铁磁体-有机半导体界面的自旋注入704

19.3 有机半导体中的自旋弛豫708

19.4 有机材料中的隧穿磁电阻现象710

19.5 自旋调控的有机电子学器件713

19.6 小结715

参考文献716

第20章 有机复合磁性纳米结构中的理论计算研究721

20.1 有机复合磁性纳米结构简介721

20.2 基于有机复合磁性纳米结构的理论简介722

20.2.1 唯象的理论方法723

20.2.2 第一性原理有机物-金属界面的计算方法723

20.2.3 非平衡态格林函数方法725

20.2.4 其他效应的理论方法727

20.3 有机复合磁性纳米结构的结构特性728

20.3.1 有机物-磁性金属界面728

20.3.2 有机物-绝缘体界面729

20.3.3 双面有机物-磁性金属结合的结构730

20.3.4 其他与有机物相关的界面结构731

20.4 有机复合磁性纳米结构的自旋相关输运特征732

20.4.1 基于有机物的隧穿磁电阻效应732

20.4.2 与有机物相关的界面耦合效应734

20.4.3 自旋相关杂化对输运的影响735

20.4.4 电流驱动下的有机物结构转变效应746

20.4.5 其他有机物中的自旋相关输运特性748

20.5 有机磁性纳米复合结构的应用前景展望749

20.5.1 与自旋相关的有机随机存储器749

20.5.2 有机自旋晶体管750

20.5.3 基于有机材料的自旋发光二极管750

20.5.4 基于有机物的自旋流发射源752

20.6 总结与展望752

参考文献754

第21章 碳基自旋电子学761

21.1 基于石墨烯的自旋电子学761

21.1.1 石墨烯简介761

21.1.2 自旋注入763

21.1.3 石墨烯自旋阀器件763

21.1.4 自旋输运和自旋调控766

21.1.5 基于石墨烯纳米带的自旋电子学769

21.1.6 小结770

21.2 基于碳纳米管的自旋电子学771

21.2.1 碳纳米管简介771

21.2.2 碳纳米管自旋阀器件771

21.2.3 碳管中的自旋输运和调控772

21.2.4 小结772

21.3 基于有机半导体和富勒烯的自旋阀器件772

21.4 总结和展望773

参考文献774

第22章 单相多铁性材料与磁电耦合效应779

22.1 多铁性材料的发展历史779

22.2 多铁性材料与磁电耦合781

22.3 单相多铁性材料的分类783

22.4 第Ⅰ类多铁性材料783

22.4.1 方硼盐和含d0构型离子的钙钛矿氧化物783

22.4.2 6s2孤对电子导致的铁电性784

22.4.3 结构相变导致的铁电性787

22.4.4 电荷有序导致的铁电性790

22.5 第Ⅱ类多铁性材料793

22.5.1 交换收缩导致的铁电性793

22.5.2 非共线螺磁结构导致的铁电性797

22.6 单相多铁性材料的应用及原型器件804

22.7 总结和展望807

参考文献808

第23章 多铁性材料BiFeO3的性质和应用815

23.1 BFO的晶体结构815

23.1.1 单晶BFO的晶体结构和相变815

23.1.2 BFO薄膜——应力作用下的低对称相819

23.2 BFO的电学性质822

23.2.1 BFO的输运性质822

23.2.2 BFO的铁电性823

23.2.3 铁电畴和畴壁826

23.3 BFO中的磁有序和磁电耦合效应831

23.3.1 BFO的磁结构832

23.3.2 BFO中的磁电耦合效应837

23.4 基于BFO异质结的交换耦合作用及器件应用839

23.5 开放性问题和未来的研究方向847

参考文献851

第24章 基于磁电耦合效应的电控磁性研究861

24.1 多铁体中的电控磁性861

24.1.1 BiFeO3中的电控磁性861

24.1.2 其他多铁异质结中的电控磁性866

24.1.3 多铁体中电控磁性的其他表现形式871

24.2 基于Rashba自旋轨道耦合作用的电控自旋872

24.2.1 自旋轨道耦合作用简介872

24.2.2 半导体材料中自旋轨道耦合效应875

24.2.3 金属表面Rashba自旋轨道耦合作用879

24.2.4 其他一些材料中的Rashba自旋轨道耦合作用883

24.2.5 基于Rashba自旋轨道耦合作用的量子自旋器件884

24.3 电控磁各向异性885

24.3.1 铁磁／铁电异质结中电场对磁各向异性的调控886

24.3.2 外加电场对于材料磁各向异性的影响889

24.3.3 基于电场调控磁各向异性的相关器件的研究893

24.4 广义磁电效应899

参考文献905

第25章 自旋结构的高分辨电子显微测量技术913

25.1 自旋极化低能电子显微术913

25.1.1 简介913

25.1.2 SPLEEM工作原理914

25.1.3 SPLEEM仪器介绍918

25.1.4 典型SPLEEM实验举例921

25.2 洛伦兹透射电子显微术926

25.2.1 简介926

25.2.2 洛伦兹透射电子显微镜原理927

25.2.3 洛伦兹透射电子显微镜应用举例930

25.3 同步辐射光电子激发电子显微术937

25.3.1 同步辐射偏振X射线的实现937

25.3.2 X射线吸收磁圆二色939

25.3.3 X射线吸收磁线二色943

25.3.4 光电子激发电子显微术944

25.4 总结949

参考文献950

第26章 微纳米加工技术及工艺957

26.1 引言957

26.2 薄膜沉积958

26.2.1 磁控溅射958

26.2.2 电子束蒸发沉积959

26.2.3 分子束外延959

26.2.4 脉冲激光沉积961

26.2.5 化学气相沉积961

26.2.6 原子层沉积961

26.2.7 电化学沉积962

26.3 图形制作962

26.3.1 光学曝光技术962

26.3.2 电子束曝光965

26.3.3 纳米压印967

26.3.4 自组装技术967

26.4 图形转移968

26.4.1 溶脱剥离工艺969

26.4.2 刻蚀工艺971

26.5 自旋电子器件的微纳米加工实例973

26.5.1 磁性隧道结器件的微纳米加工973

26.5.2 自旋注入和探测器件的微制备977

参考文献979

第27章 自旋电子学的器件应用981

27.1 硬盘驱动器磁读头982

27.1.1 硬盘驱动器磁记录发展历程简述982

27.1.2 基于各向异性磁电阻的硬盘驱动器磁读头984

27.1.3 基于巨磁电阻效应的硬盘驱动器磁读头985

27.1.4 基于隧穿磁电阻效应的硬盘驱动器磁读头986

27.1.5 硬盘驱动器磁读头的发展趋势987

27.2 磁敏传感器988

27.2.1 磁敏传感器的种类及性能简介988

27.2.2 各向异性磁电阻磁敏传感器991

27.2.3 巨磁电阻磁敏传感器994

27.2.4 巨磁电阻隔离器997

27.2.5 隧穿磁电阻磁敏传感器1000

27.2.6 磁敏传感器的应用1008

27.3 磁随机存取存储器1015

27.3.1 磁随机存取存储器简介1015

27.3.2 磁芯存储器1018

27.3.3 基于各向异性磁电阻和巨磁电阻效应的磁随机存取存储器1019

27.3.4 星型磁场驱动磁随机存取存储器1022

27.3.5 热辅助式磁随机存取存储器1024

27.3.6 嵌套型磁随机存取存储器1026

27.3.7 基于STT效应的电流驱动型磁随机存取存储器1027

27.3.8 基于纳米环以及纳米椭圆环状MTJ的磁随机存取存储器1038

27.3.9 赛道型磁性存储器1045

27.3.10 基于自旋轨道耦合效应的磁随机存取存储器1047

27.4 自旋纳米振荡器1051

27.5 自旋转移力矩二极管1056

27.6 自旋逻辑器件1058

27.7 自旋晶体管、自旋场效应晶体管1060

27.8 自旋忆阻器1066

27.9 自旋随机数字发生器1067

27.10 自旋电子学和微电子学发展历史的对比及其展望1069

参考文献1072

第28章 自旋电子学发展态势分析1079

28.1 引言1079

28.2 自旋电子学领域SCI论文时空分布1082

28.2.1 自旋电子学领域SCI论文发文量趋势及学科分布1082

28.2.2 自旋电子学领域SCI论文排名前十位国家及科研机构1082

28.2.3 自旋电子学领域项目资助情况1084

28.3 自旋电子学领域专利时空分布1085

28.3.1 自旋电子学领域专利申请量趋势1085

28.3.2 自旋电子学领域专利申请量排名前十位国家及企业1086

28.3.3 专利研发重点领域及各国技术布局差异：国际专利分类统计1087

28.3.4 自旋电子学领域高被引专利：专利引证分析1087

28.4 自旋电子学领域研究前沿可视化分析1090

28.4.1 知识图谱可视化分析方法及模型1090

28.4.2 自旋电子学研究前沿及发展趋势1091

28.5 自旋电子学领域专利技术全景地图及竞争力分析1097

28.5.1 自旋电子学领域专利技术全景地图1097

28.5.2 磁读头、磁敏传感器和磁随机存储器技术领域专利趋势1100

28.5.3 高价值专利及其专利权人竞争力分析1101

28.5.4 专利侵权诉讼及涉诉专利重点分析1104

28.5.5 自旋电子学技术领域国际市场专利保护策略1107

28.6 展望1109

参考文献1110

索引1117